• 快科技
  • 中文科技资讯专业发布平台
三星明年完成3nm GAA工艺开发 性能大涨35%
2019-09-10 17:44:01  出处:快科技 作者:宪瑞 编辑:宪瑞   点击可以复制本篇文章的标题和链接

尽管日本严格管制半导体材料多少都会影响三星的芯片、面板研发、生产,但是上周三星依然在日本举行了“三星晶圆代工论坛”SFF会议,公布了旗下新一代工艺的进展,其中3nm工艺明年就完成开发了

三星在10nm7nm5nm节点的进度都会比台积电要晚一些,导致台积电几乎包揽了目前的7nm芯片订单,三星只抢到IBMNVIDIA及高通部分订单。不过三星已经把目标放在了未来的3nm工艺上,预计2021年量产。

3nm节点,三星将从FinFET晶体管转向GAA环绕栅极晶体管工艺,其中3nm工艺使用的是第一代GAA晶体管,官方称之为3GAE工艺。

根据官方所说,基于全新的GAA晶体管结构,三星通过使用纳米片设备制造出了MBCFETMulti-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管),该技术可以显著增强晶体管性能,主要取代FinFET晶体管技术。

此外,MBCFET技术还能兼容现有的FinFET制造工艺的技术及设备,从而加速工艺开发及生产。

在这次的日本SFF会议上,三星还公布了3nm工艺的具体指标,与现在的7nm工艺相比,3nm工艺可将核心面积减少45%,功耗降低50%,性能提升35%

在工艺进度上,三星今年4月份已经在韩国华城的S3 Line工厂生产7nm芯片,今年内完成4nm工艺开发,2020年完成3nm工艺开发。

三星明年完成3nm GAA工艺开发 性能大涨35%

微信公众号搜索" 驱动之家 "加关注,每日最新的手机、电脑、汽车、智能硬件信息可以让你一手全掌握。推荐关注!【微信扫描下图可直接关注

文章价值打分
当前文章打分0 分,共有0人打分
文章观点支持

+0
+0

?
申博游戏直营网 太阳城注册开户登入 申博棋牌游戏直营网 申博真人娱乐官网直营 www.662588.com www.shenbo2.com
申博太阳成会员登录 菲律宾太阳网上娱乐 菲律宾太阳网a99.com 申博开户平台登入 申博电子游戏手机能玩吗 申博现金赌场登入
www.77msc.com 申博会员注册直营网 百家乐手机版登入网址 太阳成菲律宾网站 申博代理官网正网 www.tyc88.com